在單晶硅的制備過程中，氧是一種不可避免的輕元素雜質，它主要來源于晶體生長過程中石英增鍋的污染。那么氬氣中氧含量高對拉晶有什么影響呢？一般而言，主要是硅片中電化學性能和少數載流子壽命會產生影響。而通過使用工業氬氣含氧量分析儀就可以分析氬氣中的氧氣濃度含量是否異常，避免氬氣中的氧氣濃度過高影響硅片的品質。 氬氣中氧含量高對拉晶的主要影響如下：
1、硅片中電化學性能降低
氧在單晶硅中主要以氧團簇、氧沉淀和與空位結合的形式存在。這些氧團簇和氧沉淀會引入誘生缺陷，使得硅片的電學性能受到影響。氧團簇和氧沉淀的形成會導致硅片的電阻率變化，對于N型樣品，氧的存在會導致電阻率下降；而對于P型樣品，氧的存在會導致電阻率增加。這些變化會影響硅片的徑向電阻率的均勻性，使得電阻率熱穩定性變差，最終影響到成品率。
2、少數載流子壽命降低
氧的存在還會對硅中的少數載流子壽命產生影響。氧與硅中的載流子相互作用，可能通過與空位結合形成微缺陷，從而影響載流子的傳輸和壽命。這對于微電子集成電路和功率半導體器件的性能來說，具有重要的影響。
 
國家標準《GB/T 10624-1995 高純氬》中對于高純氬和高純氬中氧含量分別要求如下：
1、合格品
氬純度≥99.999%；氧含量≤2ppm
2、一等品
氬純度≥99.9993%；氧含量≤1ppm
3、優等品
氬純度≥99.9996%；氧含量≤1ppm
 
以贏潤集團研發生產的ERUN-QZ9100在線式微量氧含量分析儀為例，可以用來檢測高純氣體或混合氣體中的微量氧氣濃度含量，由于采用的是進口原裝高精度長壽命電化學原理傳感器，可以非常快速準確地檢測出混合氣體中氧氣的濃度值，誤差小、精度高，反應靈敏，性能穩定可靠，幾乎免維護，通電開機即可自動工作，可實現長期無人化自動運行。 氬中微量氧分析儀技術參數：
產品型號：ERUN-QZ9100
檢測氣體：混合氣中微量氧氣
檢測原理：ECD電化學
量程范圍：0-1000ppm，其他量程范圍可訂制
分 辨 率：0.1ppm
誤差精度：≤±1%F.S.
響應時間：T90≤10秒
數據傳輸：4-20 mA模擬信號、RS232/RS485標準數字信號
工作溫度：－10℃ ～ ＋50℃
工作濕度：≤90%RH
工作壓力：0.05MPa ～ 0.25MPa
工作電源：220VAC±10%，50Hz±5%；12V，20000 mA超大容量可充放電池
 
以上就是關于氬氣中氧含量高對拉晶有什么影響的相關介紹，在單晶硅的制備過程中，控制氬氣中氧的含量是十分關鍵的，氧的存在會引入誘生缺陷，導致硅片的電學性能受到影響，同時也會影響硅中的少數載流子壽命。在單晶硅的制備過程中，通過使用工業氬氣含氧量分析儀來監測并控制氬氣中氧的含量和均勻性來提高材料的質量和性能，提升硅片的生產品質。